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数字存储图示仪测量MOSFET的开启电压(Gate Threshold Voltage),方法2

以IRFP460为例,测试条件为ID=250μA,连接见图,D和G短路接仪器C端,S接仪器E端。
扫描电源:10V
电源极性:NPN(+)
测试模式:重复
功耗电阻:100Ω
栅极电阻:0Ω
垂直:0.1mA/格   移位Y0=+0.1mA
水平:1V/格      移位X0=0
阶梯:1V/级 
阶梯级数:10级

将“扫描电源%”旋钮调到0位置,启动测试后慢慢调高“扫描电源%”旋钮,使曲线超出250μA,则MOSFET已经开启,开启电压就是ID=250μA处的电压。如图57,实测开启电压为2.978V。

 

 

 

 

 

 

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